乐居财经研究院 邓如菲  5 月 30 日，深圳尚阳通科技股份有限公司（以下简称 " 尚阳通 "）披露首次公开发行股票并在科创板上市招股说明书（申报稿），对半导体功率器件行业进行分析。

  根据 Omdia 和 Yole 预测数据，2022 年全球功率半导体（含功率器件及电源管理芯片）市场规模约为 543 亿美元，占半导体市场的比例为 9%；其中半导体功率器件 281 亿美元。

  根据 Omdia、Yole 数据，2021-2025 年全球半导体功率器件市场将由 259 亿美元增至 357 亿美元，年复合增速约为 8.4%。其中，MOSFET（含模块）2021 年市场规模约为 104 亿美元，总体趋于稳定，至 2025 年，占比预计达 29%；IGBT（含模块）2025 年市场规模将快速增至 136 亿美元，占比约为 38%，2021-2025 年年复合增长率约为 12.8%；全球 SiC 功率器件 2025 年市场规模约 43 亿美元，2021 年至 2025 年复合增长率约为 42%。

  根据芯谋研究数据，2021 年中国国内 MOSFET 市场规模为 46.6 亿美元，预计到 2025 年将达到 64.7 亿美元，复合增长率为 8.55%，增速高于全球市场。

  超级结 MOSFET 为发行人销售收入占比最大的产品品类，报告期各期销售收入占比均超过 70%。根据芯谋研究数据，2021 年中国 MOSFET 市场国产化率达到 30.5%，而超级结 MOSFET 这一细分领域由于技术壁垒较高，国产化率仅为 18.1%，低于 MOSFET 国产率平均水平，超级结 MOSFET 仍为国内厂商未来发力的重要方向。

  根据 WSTS（世界半导体贸易统计组织）的数据，中国 IGBT 市场销售规模 2021 年为 238.8 亿元，预计至 2025 年仍将维持高速增长，市场规模将有望超 486 亿元，复合增长率为 19.44%。

  基于国家相关政策中提出核心元器件国产化的要求，国产替代成为国内 IGBT 行业内企业发展的主要驱动因素。根据 Yole 和中商产业研究院数据，预计 2023 年我国 IGBT 自给率将达到 32.9%。

   SiC 半导体性能优异，具有更高耐压性和耐高温性，其禁带宽度是硅的 3 倍，击穿电压是硅的 8-10 倍，导热率是硅的 3-5 倍；具有更高工作频率，电子饱和漂移速率是硅的 2-3 倍；具有更低耗能和更小尺寸，击穿电压提升，有更高杂质浓度和更薄漂移层。目前而言，成本高、技术难度大是限制 SiC 功率器件需求的主要因素，根据 Mouser 和 Digi-Key 的公开报价，SiC MOSFET 在 2022 的平均价格较 2020 年下降了 11%，与 Si 器件价差也缩小至 2.5-3 倍之间。随着技术突破和成本的下降，SiC 器件在各个领域的应用将会增加。巨大的市场需求、持续下行的成本和政策支持将为 SiC 发展带来新契机。

  中国碳化硅基电力电子器件应用市场快速增长。根据亿渡数据，2021 年中国碳化硅电力电子器件应用市场规模已达到 71.1 亿元。

  功率半导体应用主要包括新能源充电桩、汽车电子、光伏储能、数据中心、服务器和通信电源、工控自动化等领域。根据 TrendForce 数据，2021 年工业及汽车领域占比分别为 35% 及 29%。近年来，新能源汽车、充电桩、智能装备制造、光伏新能源等新兴应用领域成为功率半导体产业的持续增长点，行业呈现良好的发展态势。

文章来源 : 乐居财经